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導電型4H-SiC外延晶片
半絕緣型4H-SiC襯底片
襯底尺寸：4~6英寸
晶片厚度：500 μm ± 15 μm
電阻率：≥1E10 Ω·cm
用途：主要用于外延GaN高功率射頻器件，應用于微波射頻領域。
導電型4H-SiC外延晶片
晶體尺寸：直徑4~6英寸
電阻率：≥1E10 Ω·cm
半絕緣型4H-SiC晶體
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